首页> 外国专利> Dislocation site formation techniques

Dislocation site formation techniques

机译:技术培训现场错位

摘要

Techniques to form dislocation cores along an interface of a multilayer thin film structure are described. The loading and/or deloading of isotopes of hydrogen are also described in association with core formation. The described techniques can provide be applied to superconductive structure formation, x-ray and charged particle generation, nuclear reaction processes, and/or inertial confinement fusion targets.
机译:描述了沿着多层薄膜结构的界面形成位错核的技术。还描述了氢同位素的装载和/或卸载与核的形成有关。所描述的技术可以应用于超导结构的形成,X射线和带电粒子的产生,核反应过程和/或惯性约束聚变靶。

著录项

  • 公开/公告号US8227020B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GEORGE H. MILEY;

    申请/专利号US20080080011

  • 发明设计人 GEORGE H. MILEY;

    申请日2008-03-31

  • 分类号B05D5/12;H01L39/24;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:29:33

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号