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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND AN OPERATING METHOD, CAPABLE OF PERFORMING THE EXTRICATION OPERATION IN A MAX POWER DOWN MODE

机译:半导体存储器和一种操作方法,能够在最大掉电模式下执行拔除操作

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device and an operating method are provided to implement the low power consumption of a semiconductor memory device by enabling minimum number of a buffering part to be operated after entering a max power down mode.;CONSTITUTION: In a semiconductor memory device and an operating method, a buffering part(221) buffers a first mode signal which is inputted from outside. A second buffering part(222) is activated in response to the output signal of the first buffering part. A second buffering part buffers a second mode signal. The first mode signal is an external command signal. The second mode signal is a clock enable signal.;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种半导体存储器件及其操作方法,以通过使进入最大掉电模式后能够操作最少数量的缓冲部件来实现半导体存储器件的低功耗。构成:在半导体存储器件中缓冲部(221)对从外部输入的第一模式信号进行缓冲。响应于第一缓冲部分的输出信号,激活第二缓冲部分(222)。第二缓冲部分缓冲第二模式信号。第一模式信号是外部命令信号。第二种模式信号是时钟使能信号。; COPYRIGHT KIPO 2012

著录项

  • 公开/公告号KR101092999B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20100074105

  • 发明设计人 SONG CHOUNG KI;

    申请日2010-07-30

  • 分类号G11C7/20;G11C5/14;G11C7/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:11:00

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