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Method and Apparatus of Minimizing Extrinsic Parasitic Resistance in 60GHz Power Amplifier Circuits

机译:使60GHz功率放大器电路中的外部寄生电阻最小化的方法和装置

摘要

Very high frequency circuits suffer from parasitic resistances. At 60 GHz, conventional layout techniques can introduce loss into the circuit at critical locations. One critical interconnect between the output of a pre-driver and the gate of the final output stage causes 1 or 2 dB of loss due to the layout. By minimizing the number of via contacts, this conventional loss can be recovered using this new layout technique. In addition, a tap point of a via stack is used to modify the resonant characteristics of the interconnect. Finally, cross coupled devices in a resonant circuit are used to reduce the common mode noise at the expense of the common mode gain.
机译:极高频率的电路具有寄生电阻。在60 GHz时,传统的布局技术会在关键位置将损耗引入电路。由于布局原因,前置驱动器的输出与最终输出级的栅极之间的一种关键互连会造成1或2 dB的损耗。通过最小化通孔触点的数量,可以使用这种新的布局技术来弥补这种传统的损耗。另外,通孔堆叠的抽头点用于修改互连的谐振特性。最后,谐振电路中的交叉耦合器件用于降低共模噪声,但以共模增益为代价。

著录项

  • 公开/公告号US2013078933A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ZAW SOE;

    申请/专利号US201113243986

  • 发明设计人 ZAW SOE;

    申请日2011-09-23

  • 分类号H04W88/02;H03B11/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:48:56

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