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Directionally recrystallized graphene growth substrates

机译:定向重结晶石墨烯生长基质

摘要

Implementations and techniques for producing substrates suitable for growing graphene monolayers are generally disclosed.
机译:通常公开了用于生产适合于生长石墨烯单层的衬底的实施方式和技术。

著录项

  • 公开/公告号US8492753B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMAS A. YAGER;

    申请/专利号US201013129371

  • 发明设计人 THOMAS A. YAGER;

    申请日2010-09-28

  • 分类号H01L29/08;H01L35/24;H01L51/00;H01L21/00;H01L51/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:45:45

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