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Method of cooling a process chamber of the single-wafer thermal processing apparatus

机译:冷却单晶片热处理设备的处理室的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce slip dislocation occurring from a support position of a support pin.;SOLUTION: In a method of cooling a process chamber 11 provided to a sheet type heat treatment apparatus 10 by blowing a cooling gas 14 to the process chamber 11 while or after heating a single silicon wafer 13 supported horizontally with a plurality of support pins 12, the flow rate of the cooling gas 14 blown to an upper surface of the process chamber 11 is 0.471 to 0.754 liter/min-cm2 and a flow rate of the cooling gas 14 blown to an under surface of the process chamber 11 is 0 to 0.038 liter/min-cm2.;COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
机译:解决的问题:为了减少从支撑销的支撑位置发生的滑动错位;解决方案:在通过向处理室吹送冷却气体14来冷却设置于片状热处理装置10的处理室11的方法中如图11所示,在加热水平支撑有多个支撑销12的单个硅晶片13时或之后,吹入处理室11的上表面的冷却气体14的流量为0.471〜0.754L / min·cm 参照图2 ,吹入处理室11的下表面的冷却气体14的流量为0〜0.038升/分钟·cm 2 。版权所有:(C)2010,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP5531385B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社SUMCO;

    申请/专利号JP20080190398

  • 发明设计人 伊藤 亘;中島 千重子;

    申请日2008-07-24

  • 分类号H01L21/26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:15:05

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