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MEMS MASS BIAS TO TRACK CHANGES IN BIAS CONDITIONS AND REDUCE EFFECTS OF FLICKER NOISE

机译:MEMS偏置技术可跟踪偏置条件的变化并降低闪烁噪声的影响

摘要

A technique for tracking changes in bias conditions of a microelectromechanical system (MEMS) device includes applying an electrode bias signal to an electrode of the MEMS device. The technique includes applying a mass bias signal to a mass of the MEMS device suspended from a substrate of the MEMS device. The technique includes generating the mass bias signal based on a target mass-to-electrode bias signal level and a signal level of the electrode bias signal.
机译:跟踪微机电系统(MEMS)器件的偏置条件变化的技术包括将电极偏置信号施加到MEMS器件的电极。该技术包括将质量偏置信号施加到悬挂在MEMS器件的衬底上的MEMS器件的质量。该技术包括基于目标质量-电极偏置信号电平和电极偏置信号的信号电平来生成质量偏置信号。

著录项

  • 公开/公告号US2014176251A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SILICON LABORATORIES INC.;

    申请/专利号US201213721642

  • 发明设计人 AARON CAFFEE;MANU SETH;

    申请日2012-12-20

  • 分类号H03B28/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:08:29

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