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MULTILEVEL MIXED VALENCE OXIDE (MVO) MEMORY

机译:多级混合价氧化物(MVO)存储器

摘要

Various embodiments include a memory device and methods of forming the same. The memory device can include an electrode coupled to one or more memory elements, to store information. The electrode may comprise a number of metals, where a first one of the metals has a Gibbs free energy for oxide formation lower than the Gibbs free energy of oxidation of a second one of the metals.
机译:各种实施例包括存储器件及其形成方法。所述存储装置可包含耦合到一个或一个以上存储元件的电极以存储信息。电极可以包括多种金属,其中第一金属具有比第二金属的氧化的吉布斯自由能低的用于形成氧化物的吉布斯自由能。

著录项

  • 公开/公告号US2014080279A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201314089153

  • 发明设计人 GURTEJ S. SANDHU;EUGENE P. MARSH;

    申请日2013-11-25

  • 分类号H01L45/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:08:03

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