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Methodology on developing metal fill as library device and design structure

机译:开发金属填充物作为库设备和设计结构的方法论

摘要

A methodology is provided on developing metal fill as a library device and, in particular, a method of generating a model of the effects (e.g., capacitance) of metal fills in an integrated circuit and a design structure. The method is implemented on a computing device and includes generating a model for effects of metal fill in an integrated circuit. The metal fill model is generated prior to completion of a layout design for the integrated circuit.
机译:提供了一种开发金属填充物作为库设备的方法,尤其是提供了一种在集成电路和设计结构中生成金属填充物的效应(例如,电容)模型的方法。该方法在计算设备上实现,并且包括生成用于集成电路中金属填充的影响的模型。金属填充模型是在完成集成电路的布局设计之前生成的。

著录项

  • 公开/公告号US8640076B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ESSAM MINA;GUOAN WANG;

    申请/专利号US20100906707

  • 发明设计人 ESSAM MINA;GUOAN WANG;

    申请日2010-10-18

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:59:19

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