首页> 外国专利> Reactor designs for use in ammonothermal growth of group-III nitride crystals

Reactor designs for use in ammonothermal growth of group-III nitride crystals

机译:用于III型氮化物晶体氨热生长的反应器设计

摘要

Reactor designs for use in ammonothermal growth of group-III nitride crystals. Internal heating is used to enhance and/or engineer fluid motion, gas mixing, and the ability to create solubility gradients within a vessel used for the ammonothermal growth of group-III nitride crystals. Novel baffle designs are used for control and improvement of continuous fluid motion within a vessel used for the ammonothermal growth of group-III nitride crystals.
机译:用于III族氮化物晶体氨热生长的反应器设计。内部加热用于增强和/或控制流体运动,气体混合,以及在用于III型氮化物晶体氨热生长的容器内产生溶解度梯度的能力。新型挡板设计用于控制和改善用于III族氮化物晶体氨热生长的容器内的连续流体运动。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号