要解决的问题:使用具有预定磁导率的高磁导率的粒子来正确分析结构的内部状态。
解决方案:对于与结构内部的截面相对应的通过截面j,mu粒子以水平角,仰角e和通过点通过该截面,内部分析方法包括以下步骤:计算通过长度L(j ,, e,)和假定物质Mas(j)的密度的乘积的密度长度DL(j ,, e,)(S150);使用计算出的密度长度DL(j ,, e,)设置高斯分布(S160);通过使用高斯分布(S170)设置来设置粒子的散射角sc(j ,, e,)。通过使用散射角sc(j,,e,)设置来分析通过部分j的状态(S180)。
版权:(C)2011,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP5682882B2
专利类型
公开/公告日2015-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 独立行政法人日本原子力研究開発機構;
申请/专利号JP20100166333
申请日2010-07-23
分类号G01N23/02;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 15:31:22