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MULTIFUNCTIONAL ZINC OXIDE NANO-STRUCTURE-BASED CIRCUIT BUILDING BLOCKS FOR RE-CONFIGURABLE ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS

机译：基于多功能氧化锌纳米结构的电路构建块，用于可重构电子和光电子

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摘要

A vertically integrated reconfigurable and programmable diode/memory resistor (1D1R) and thin film transistor/memory resistor (1T1R) structures built on substrates are disclosed.

机译：公开了一种垂直集成在衬底上的可重构和可编程二极管/存储器电阻器（1D1R）和薄膜晶体管/存储器电阻器（1T1R）结构。

著录项

公开/公告号US2015318332A1

专利类型
公开/公告日2015-11-05

原文格式PDF
申请/专利权人 RUTGERS THE STATE UNIVERSITY OF NEW JERSEY;
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申请/专利号US201414537480
发明设计人 YANG ZHANG;YICHENG LU;CHIEH-JEN KU;
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申请日2014-11-10
分类号H01L27/24;H01L29/872;H01L29/24;H01L45/00;H01L29/786;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:24:39

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