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METHOD FOR PREPARING NANOCRYSTALLINE SILICON IN SIO2 AND FREESTANDING SILICON NANOPARTICLES

机译：制备SiO2中纳米硅和游离硅纳米粒子的方法

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摘要

Methods for preparing nanocrystalline-Si/SiO2 composites by treating hydrogen silsesquioxane (HSQ) under reductive thermal curing conditions are described. Also described are methods of preparing silicon nanoparticles by acid etching the nanocrystalline-Si/SiO2 composites.

机译：描述了通过在还原热固化条件下处理氢倍半硅氧烷（HSQ）制备纳米晶Si / SiO2复合材料的方法。还描述了通过酸蚀刻纳米晶-Si / SiO 2复合材料制备硅纳米颗粒的方法。

著录项

公开/公告号EP1883949B1

专利类型
公开/公告日2015-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人 THE GOVERNORS OF THE UNIVERSITY OF ALBERTA;
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申请/专利号EP20060741561
发明设计人 VEINOT JONATHAN GORDON CONN;HESSEL COLIN MICHAEL;
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申请日2006-05-26
分类号H01L21/02;H01L21/20;H01L21/312;H01L21/316;B82Y10;C01B33/021;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:08:55

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