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机译:制备单一尺寸的II-VI半导体纳米晶体的方法
公开/公告号EP2679538B1
专利类型
公开/公告日2015-04-08
原文格式PDF
申请/专利权人 UNIV KING SAUD;
申请/专利号EP20120173430
发明设计人 BADRUZ ZAMAN MOHAMMED;REZAUL KARIM MOHAMMED;AL-AHMARI ABDURAHMAN;
申请日2012-06-25
分类号C01B19/00;C30B29/48;C30B29/60;B82Y30/00;C30B7/00;C30B7/14;A61N5/06;B82Y40/00;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:06:28
机译: 单一尺寸的II-VI半导体纳米晶体,其制备方法及其在临床光疗法中的用途
机译: 细化II-VI复合半导体的方法,II-VI复合半导体单晶的生产以及通过使用通过相同方法获得的半导体单晶形成的半导体发光元件的生产
机译: II-VI复合半导体单晶晶片和II-VI复合半导体单晶晶片的制造方法