机译:半导体芯片,其芯片接合到具有烧结的Ag层的引线框架,其中树脂圆角覆盖烧结的Ag层和芯片的侧表面的一部分,并且芯片电极结合到引线,以及制造方法相同
公开/公告号EP2779232A3
专利类型
公开/公告日2014-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION;
申请/专利号EP20140160005
申请日2014-03-14
分类号H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:05:21