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USING SLOW RESPONSE MEMORY DEVICE ON A FAST RESPONSE INTERFACE

机译:在快速响应接口上使用慢响应存储器

摘要

A method includes receiving a request to read data at a data storage device from an external device. In response to determining that the data is in a first memory of the data storage device, a first read operation is initiated to read the data from the first memory and a response is sent to the external device. The response indicates an error correction code (ECC) error. A read latency of the first read operation exceeds a reply time period corresponding to the request. The response is sent prior to completion of the first read operation and within reply time period.
机译:一种方法包括从外部设备接收在数据存储设备处读取数据的请求。响应于确定数据在数据存储设备的第一存储器中,发起第一读取操作以从第一存储器读取数据,并且将响应发送到外部设备。该响应指示错误校正码(ECC)错误。第一读取操作的读取等待时间超过了与请求相对应的答复时间段。在完成第一个读取操作之前并在回复时间段内发送响应。

著录项

  • 公开/公告号EP2870539B1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDISK TECHNOLOGIES INC;

    申请/专利号EP20130734569

  • 发明设计人 BLAUNSTEIN MORDECHAI;

    申请日2013-06-19

  • 分类号G06F13/16;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:51:00

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