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Heat treatment of a silicate layer with pulsed carbon dioxide laser

机译:脉冲二氧化碳激光对硅酸盐层的热处理

摘要

Described is in particular a method of heat treatment of a material layer (102) of a material sandwich (100) comprising the material layer (102) and a substrate (104), wherein the substrate (104) comprises a silicon-oxygen - compound and the material layer (102) comprises a silicon-oxygen compound, the method comprising irradiating the material layer (102) with a pulsed laser beam (114) of a carbon dioxide laser (112). According to an embodiment the irradiating is performed so as to selectively heat the material layer (102) and a substrate portion (116) of the substrate (104), wherein the substrate portion (116) faces (e.g. contacts) the material layer (102).
机译:特别描述了一种热处理材料夹层材料(100)的材料层(102)的方法,该材料夹层材料(100)包括材料层(102)和衬底(104),其中衬底(104)包括硅-氧-化合物所述材料层(102)包括硅-氧化合物,所述方法包括用二氧化碳激光器(112)的脉冲激光束(114)照射所述材料层(102)。根据一个实施例,执行照射以便选择性地加热材料层(102)和衬底(104)的衬底部分(116),其中衬底部分(116)面对(例如接触)材料层(102)。 )。

著录项

  • 公开/公告号EP2987776A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 4JET TECHNOLOGIES GMBH;

    申请/专利号EP20140181857

  • 发明设计人 JETTER HEINZ LEONHARD;

    申请日2014-08-21

  • 分类号C03C23/00;B23K26/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:48:41

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