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Photo diode, wavelength sensors, wavelength measuring device

机译:光电二极管,波长传感器,波长测量装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode, a wavelength sensor and a wavelength measuring apparatus, which can improve sensitivity while reducing an optical density of incident light on the photodiode.;SOLUTION: A photodiode 10 according to a present embodiment comprises: a substrate 30; a light-receiving layer 36 formed on the substrate 30; a semiconductor layer 38 formed on the light-receiving layer 36; a two-dimensional diffraction grating 38a for diffracting light perpendicularly incident on the semiconductor layer 38 to make light guided in the light-receiving layer 36; and reflection films 16, 18 respectively formed on ends of the light-receiving layer 36 for reflecting light which is guided in the light-receiving layer 36.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:为了提供一种光电二极管,波长传感器和波长测量装置,其可以在降低入射光在光电二极管上的光密度的同时提高灵敏度。解决方案:根据本实施例的光电二极管10包括:基板30;形成在基板30上的光接收层36;在光接收层36上形成的半导体层38;二维衍射光栅38a用于衍射垂直入射在半导体层38上的光,以使光在光接收层36中被引导。反射膜16和18分别形成在用于反射在受光层36中引导的光的受光层36的端部上。;版权所有:(C)2013,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5884532B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱電機株式会社;

    申请/专利号JP20120022872

  • 发明设计人 元田 隆;

    申请日2012-02-06

  • 分类号H01L31/10;G01J3/18;G01J9/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:42:11

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