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Reconfigurable high speed memory chip module and electronic device with a reconfigurable high speed memory chip module

机译:可重构高速存储芯片模块和具有可重构高速存储芯片模块的电子设备

摘要

A reconfigurable high speed memory chip module includes a type of memory cell array group, a first transmission bus, and a logic unit. The type memory cell array group includes multiple memory cell array integrated circuits (ICs). The first transmission bus coupled to the type memory cell array group has a first programmable transmitting or receiving data rate, a first programmable transmitting or receiving signal swing, a first programmable bus width, and a combination thereof. The logic unit is coupled to the first transmission bus for accessing the type memory cell array group through the first transmission bus.
机译:一种可重构高速存储芯片模块,包括一种存储单元阵列组,第一传输总线和逻辑单元。类型存储单元阵列组包括多个存储单元阵列集成电路(IC)。耦合到类型存储单元阵列组的第一传输总线具有第一可编程的发送或接收数据速率,第一可编程的发送或接收信号摆幅,第一可编程的总线宽度以及它们的组合。逻辑单元耦接至第一传输总线,以通过第一传输总线访问类型存储单元阵列组。

著录项

  • 公开/公告号US9201834B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ETRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201213666993

  • 发明设计人 WENG-DAH KEN;CHAO-CHUN LU;JAN-MYE SUNG;

    申请日2012-11-02

  • 分类号G06F13/40;G06F13/42;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:28:19

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