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CMOS CHIP GAS SENSOR, AN ARRAY COMPRISING THE SENSOR AND A MANUFACTURING THEREOF

机译:CMOS芯片气体传感器,包括传感器的阵列及其制造

摘要

The present disclosure relates to a gas sensor. More particularly, the present disclosure provides a method of forming a gas sensor array with a suspended in-plane micro/nano heater which serves as a shadow mask to grow in-plane metal oxide film to bridge a nano gap metal electrode as a sensing film. The method uses top-down processing technique to form nanostructured sensor. The method involves steps of creating an in-plane heater for the gas sensor array. Next, different metal oxides are deposited on different array elements of the gas sensor array using shadow mask technique, with different angle of incidence for each of the different metal oxides to be deposited on array elements. The nano gap is created by electro migration technique to host the sensing element. Figure 5a
机译:本发明涉及一种气体传感器。更具体地,本公开提供一种形成具有悬置的平面内微/纳米加热器的气体传感器阵列的方法,该气体传感器阵列用作荫罩以生长平面内金属氧化物膜以桥接纳米间隙金属电极作为感测膜。 。该方法使用自顶向下的处理技术来形成纳米结构的传感器。该方法包括为气体传感器阵列创建面内加热器的步骤。接下来,使用荫罩技术将不同的金属氧化物沉积在气体传感器阵列的不同阵列元件上,对于要沉积在阵列元件上的每种不同的金属氧化物,具有不同的入射角。纳米间隙是通过电迁移技术产生的,以容纳传感元件。图5a

著录项

  • 公开/公告号IN2013CH00801A

    专利类型

  • 公开/公告日2016-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN801/CHE/2013

  • 发明设计人 PALASH KUMAR BASU;NAVAKANTA BHAT;

    申请日2013-02-25

  • 分类号

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 14:25:40

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