首页> 外国专利> METHOD FOR PRODUCING A RESONANT STRUCTURE OF A DISTRIBUTED COUNTER-REACTION SEMICONDUCTOR LASER

METHOD FOR PRODUCING A RESONANT STRUCTURE OF A DISTRIBUTED COUNTER-REACTION SEMICONDUCTOR LASER

机译:分布式反作用半导体激光器谐振结构的制造方法

摘要

The invention relates to a reproducible production method of a resonant structure of a distributed feedback semiconductor laser having a narrow waveguide of the order of ten micrometers, the development of the network. diffraction being performed after the ribbon forming step. In a last step, a diffraction grating is inscribed as a function of a desired precise wavelength.
机译:网络的发展本发明涉及一种具有十微米量级的窄波导的分布式反馈半导体激光器的共振结构的可复制的制造方法,其是网络的发展。在带形成步骤之后进行衍射。在最后一步中,将衍射光栅刻画为所需精确波长的函数。

著录项

  • 公开/公告号FR3026571A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THALES;

    申请/专利号FR20140002166

  • 申请日2014-09-26

  • 分类号H01S5/12;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 14:08:31

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号