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SPUTTERING TARGET COMPRISING Ni-P ALLOY OR Ni-Pt-P ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

机译:包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其生产方法

摘要

A method of producing a Ni-P alloy sputtering target, wherein a Ni-P alloy having a P content of 15 to 21 wt% and remainder being Ni and unavoidable impurities is melted and atomized to prepare a Ni-P alloy atomized powder having an average grain size of 100 μm or less, the Ni-P alloy atomized powder is mixed with a pure Ni atomized powder, and the obtained mixed powder is hot pressed. An object of the present invention is to provide a method of producing a Ni-P alloy sputtering target which achieves a small deviation from an intended composition.
机译:一种制备Ni-P合金溅射靶的方法,其中将P含量为15至21wt%并且剩余为Ni和不可避免的杂质的Ni-P合金熔融并雾化以制备具有以下特征的Ni-P合金雾化粉末:将平均粒径为100μm以下的Ni-P合金雾化粉末与纯Ni雾化粉末混合,并将得到的混合粉末热压。本发明的目的是提供一种生产Ni-P合金溅射靶的方法,该靶与所要组成的偏差很小。

著录项

  • 公开/公告号EP3106540A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX NIPPON MINING & METALS CORP.;

    申请/专利号EP20150769671

  • 发明设计人 OHASHI KAZUMASA;ODA KUNIHIRO;

    申请日2015-03-12

  • 分类号C23C14/34;B22F1;B22F3/14;B22F3/15;B22F9/08;C22C19/03;G11B5/851;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:02:37

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