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机译:蚀刻残余物去除组合物,蚀刻残余物去除方法和使用该组合物的蚀刻残余物去除套件以及磁阻存储器的制造方法
公开/公告号JPWO2016006456A1
专利类型
公开/公告日2017-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 富士フイルム株式会社;
申请/专利号JP20160532867
发明设计人 朴 起永;水谷 篤史;
申请日2015-06-24
分类号H01L21/304;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/18;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 13:54:01
机译: 蚀刻残余物去除组合物,蚀刻残余物去除方法和使用该组合物的蚀刻残余物去除套件以及磁阻存储器的制造方法
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