首页> 外国专利> Etching residue removing composition, etching residue removing method and etching residue removing kit using the same, and magnetoresistive memory manufacturing method

Etching residue removing composition, etching residue removing method and etching residue removing kit using the same, and magnetoresistive memory manufacturing method

机译:蚀刻残余物去除组合物,蚀刻残余物去除方法和使用该组合物的蚀刻残余物去除套件以及磁阻存储器的制造方法

摘要

An etching residue removing composition containing an oxidizing agent, a glycol compound, and an amine compound, and having a water content of 30% by mass or less based on the total amount of the composition.
机译:蚀刻残渣除去组合物,其含有氧化剂,二醇化合物和胺化合物,且水的含量相对于组合物总量为30质量%以下。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2016006456A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士フイルム株式会社;

    申请/专利号JP20160532867

  • 发明设计人 朴 起永;水谷 篤史;

    申请日2015-06-24

  • 分类号H01L21/304;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/18;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:54:01

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号