首页> 外国专利> МІКРОХВИЛЬОВИЙ ДІЕЛЕКТРИЧНИЙ МАТЕРІАЛ НА ОСНОВІ КОБАЛЬТДЕФІЦИТНОГО КОБАЛЬТ-НІОБАТУ БАРІЮ

МІКРОХВИЛЬОВИЙ ДІЕЛЕКТРИЧНИЙ МАТЕРІАЛ НА ОСНОВІ КОБАЛЬТДЕФІЦИТНОГО КОБАЛЬТ-НІОБАТУ БАРІЮ

机译：基于钴缺乏症铌铌酸钡的微波介电材料

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со,Nb)Оδ, де 0,04≤у≤0,10. Має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %):

机译：基于缺钴钴酸钡钡（Co，Nb）Oδ的微波介电材料，其中0.04≤y≤0.10。钴晶格中的化学计量存在偏差，且组分比率（重量％）如下：

著录项

公开/公告号UA111752U

专利类型
公开/公告日2016-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人 ІНСТИТУТ ЗАГАЛЬНОЇ ТА НЕОРГАНІЧНОЇ ХІМІЇ ІМ. В.І. ВЕРНАДСЬКОГО НАН УКРАЇНИ;
展开▼

申请/专利号UAU201604301U
发明设计人 БІЛОУС АНАТОЛІЙ ГРИГОРОВИЧ;ОВЧАР ОЛЕГ ВІКТОРОВИЧ;ДУРИЛІН ДМИТРО ОЛЕКСАНДРОВИЧ;СУСЛОВ ОЛЕКСАНДР МИКОЛАЙОВИЧ;
展开▼

申请日2016-04-19
分类号H01B3/12;
国家 UA
入库时间 2022-08-21 13:36:32

相似文献

专利
中文文献