СПОСІБ ОТРИМАННЯ НАНОСТРУКТУР Ag2O НА ПОВЕРХНІ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНОЇ ПЛІВКИ p-CdHgTe

摘要

Винахід належить до напівпровідникової оптоелектроніки. Cпосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdHgTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації (3-7)∙10см. При цьому поверхню опромінюють іонним пучком під кутом променя 45° до поверхні. Створення більш упорядкованих наноструктур AgO-p-CdHgTe дозволить використовувати функціональні властивості оксиду AgO (Eg=1,41еВ) та CdHgTe (Eg=0,11еВ) як основу для створення оптичних перетворювачів та НВЧ решіток.