СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ РЕНТГЕНІВСЬКОГО- І ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ Cd(Zn)Te З P-N ПЕРЕХОДОМ І ПІДВИЩЕННЯ ЇХ ХАРАКТЕРИСТИК БАГАТОКРАТНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ІМПУЛЬСАМИ ЛАЗЕРА У РІДКОМУ СЕРЕДОВИЩІ

摘要

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника золотого електрода. Опромінення здійснюють шляхом багатократної дії лазерних імпульсів у рідкому середовищі, прозорому для довжини хвилі лазера.