ПРИСТРІЙ ВИСОКОГО ТИСКУ ТА ТЕМПЕРАТУРИ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ НА ЗАТРАВЦІ В ОБЛАСТІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ СТАБІЛЬНОСТІ

摘要

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами. Додатково містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для кожного із ростових шарів у вигляді дисків, що виготовлені з суміші графіту (електропровідна складова) та стабілізованого діоксиду цирконію (діелектрична складова), з'єднаних послідовно трубчатими графітовими нагрівачами. Товщину композиційних нагрівальних елементів а для кожного із шарів визначають за формулою: EMBED Equation.3 , де EMBED Equation.3 - номер ростового шару зверху вниз; EMBED Equation.3 , нумерацію починають з другого шару, EMBED Equation.3 - висота дисперсно-композиційного нагрівача першого ростового шару.