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NbO2 NbO2 NbO2 SINTERED BODY SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED BODY AND METHOD OF PRODUCING NbO2 SINTERED BODY

机译:包含烧结体的NbO2 NbO2 NbO2烧结体溅射靶及制备NbO2烧结体的方法

摘要

The present invention is characterized in that the intensity ratio of the X-ray diffraction peak intensity from the (001) plane or the (110) plane of Nb 2 O 5 to the X-ray diffraction peak intensity from the (400) plane of NbO 2 is 1% To a sintered body of NbO 2 . An object of the present invention is to provide an NbO 2 sintered body which can be applied to a sputtering target for forming a high-quality resistance change layer for ReRAM without using expensive NbO 2 raw material. In particular, it is an object of the present invention to provide a high-density, single-phase NbO 2 sintered body suitable for stabilizing sputtering.
机译:本发明的特征在于,从Nb 2 O 5 的(001)面或(110)面的X射线衍射峰强度的强度比与从NbO 2 的(400)平面到NbO 2 的烧结体的X射线衍射峰强度为1%。本发明的一个目的是提供一种NbO 2 烧结体,该烧结体可以应用于溅射靶以形成用于ReRAM的高质量电阻变化层,而无需使用昂贵的NbO 2 原材料。特别地,本发明的目的是提供一种适合于稳定溅射的高密度单相NbO 2 烧结体。

著录项

  • 公开/公告号KR101702790B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 제이엑스금속주식회사;

    申请/专利号KR20157003648

  • 发明设计人 나리타 사토야스;

    申请日2013-11-08

  • 分类号C04B35/495;C01G33;C04B35/64;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:26:06

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