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Susceptor for holding a semiconductor wafer, method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer and semiconductor wafer with an epitaxial layer

机译:用于保持半导体晶片的基座,在半导体晶片的正面上沉积外延层的方法以及具有外延层的半导体晶片

摘要

Susceptor for holding a semiconductor wafer during the deposition of an epitaxial layer on a front side of the semiconductor wafer, comprising a susceptor ring and a susceptor bottom, wherein under the susceptor ring recesses are arranged distributed rotationally symmetrically in the susceptor bottom; A method of depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer using the susceptor; and semiconductor wafer with epitaxial layer.
机译:用于在半导体晶片的前侧上沉积外延层期间保持半导体晶片的基座,其包括基座环和基座底部,其中,在基座环下方,凹口旋转对称地布置在基座底部中;一种使用基座在半导体晶片的正面上沉积外延层的方法;以及具有外延层的半导体晶片。

著录项

  • 公开/公告号DE102016210203B3

    专利类型

  • 公开/公告日2017-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SILTRONIC AG;

    申请/专利号DE201610210203

  • 发明设计人 JÖRG HABERECHT;

    申请日2016-06-09

  • 分类号C30B25/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 13:22:06

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