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Tipless transistors, short-tip transistors, and methods and circuits therefor

机译:无尖晶体管,短尖晶体管及其方法和电路

摘要

An integrated circuit can include a plurality of first transistors formed in a substrate and having gate lengths of less than one micron and at least one tipless transistor formed in the substrate and having a source-drain path coupled between a circuit node and a first power supply voltage. In addition or alternatively, an integrated circuit can include minimum feature size transistors; a signal driving circuit comprising a first transistor of a first conductivity type having a source-drain path coupled between a first power supply node and an output node, and a second transistor of a second conductivity type having a source-drain path coupled between a second power supply node and the output node, and a gate coupled to a gate of the first transistor, wherein the first or second transistor is a tipless transistor.
机译:集成电路可以包括:多个第一晶体管,形成在基板中并且具有小于一个微米的栅极长度;以及至少一个无尖端晶体管,其形成在基板中并且具有耦合在电路节点和第一电源之间的源极-漏极路径。电压。附加地或替代地,集成电路可以包括最小特征尺寸的晶体管;例如,晶体管。一种信号驱动电路,包括:第一导电类型的第一晶体管,其源极-漏极路径耦合在第一电源节点和输出节点之间;以及第二导电类型的第二晶体管,其源极-漏极路径耦合在第二电源节点和输出节点之间。电源节点和输出节点,以及耦合到第一晶体管的栅极的栅极,其中第一或第二晶体管是无尖晶体管。

著录项

  • 公开/公告号US9953974B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MIE FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED;

    申请/专利号US201715398447

  • 发明设计人 DAVID A. KIDD;

    申请日2017-01-04

  • 分类号H01L27/088;H01L29/10;H01L29/78;H03L7/08;H03L7/081;H03K5/06;H03K3/356;G11C7/08;G11C7/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:57:40

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