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CHAMBER, METHOD FOR PRODUCING CHAMBER, CHAMBER MAINTENANCE METHOD, PLASMA TREATMENT DEVICE, AND PLASMA TREATMENT METHOD

机译:腔室,腔室的制造方法,腔室的维护方法,等离子体处理装置以及等离子体处理方法

摘要

To suppress chamber damage, prevent the occurrence of particles, and reduce the number of times of chamber maintenance, in plasma treatment.SOLUTION: The present invention provides a chamber 4 in which plasma treatment is performed in its inside (SP). Of the inner surface 15g of a wall part 15c of the chamber 4, in the vicinity of an electrode 5 for plasma generation, a coat C of inorganic substance is partially provided.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:为了在等离子体处理中抑制腔室损坏,防止颗粒的出现并减少腔室维护的次数。解决方案:本发明提供一种腔室4,在腔室4的内部(SP)中进行等离子体处理。在腔室4的壁部15c的内表面15g的,用于产生等离子体的电极5的附近,部分地设置有无机物质的涂层C。

著录项

  • 公开/公告号JP2018204051A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO OHKA KOGYO CO LTD;

    申请/专利号JP20170107515

  • 申请日2017-05-31

  • 分类号C23C16/507;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/44;H05H1/46;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:21:36

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