首页> 外国专利> Bias circuit for temperature-compensated varactor

Bias circuit for temperature-compensated varactor

机译:温度补偿变容二极管的偏置电路

摘要

A bias circuit is provided that is configure to control the bias for a diode-connected transistor operating in the sub-threshold region to produce a gate-to-source voltage. A differential tuning voltage derived from the gate-to-source voltage tunes a plurality of varactors.
机译:提供偏置电路,该偏置电路被配置为控制在亚阈值区域中操作的二极管连接的晶体管的偏置以产生栅极-源极电压。从栅极至源极电压得到的差分调谐电压调谐多个变容二极管。

著录项

  • 公开/公告号US10340922B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INCORPORATED;

    申请/专利号US201815947738

  • 发明设计人 LUIS CHEN;JEFFREY MARK HINRICHS;

    申请日2018-04-06

  • 分类号H03L1/02;H03L7/099;H03B5/04;H03B5/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:14:15

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号