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Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region

机译:使用含镓和氮的有源区进行应变工程的方法和相关的光学装置

摘要

An optical device has a gallium and nitrogen containing substrate including a surface region and a strain control region, the strain control region being configured to maintain a quantum well region within a predetermined strain state. The device also has a plurality of quantum well regions overlying the strain control region.
机译:光学器件具有包括表面区域和应变控制区域的含镓和氮的衬底,该应变控制区域被配置为将量子阱区域保持在预定应变状态内。该器件还具有覆盖应变控制区的多个量子阱区。

著录项

  • 公开/公告号US10283938B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SORAA LASER DIODE INC.;

    申请/专利号US201715424516

  • 发明设计人 JAMES W. RARING;CHRISTIANE POBLENZ ELSASS;

    申请日2017-02-03

  • 分类号H01S5/343;H01S5/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:11:35

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