机译:半导体芯片具有以下区域的半导体芯片:包括在栅极水平栅格上部分地由矩形布局形状形成的栅电极特征以及在第一金属垂直栅格的至少八条第一金属栅格线上至少部分地由矩形布局形状形成的第一金属结构
公开/公告号US10186523B2
专利类型
公开/公告日2019-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 TELA INNOVATIONS INC.;
申请/专利号US201816119794
申请日2018-08-31
分类号H01L27/10;H01L27/118;G06F17/50;H01L27/092;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/02;H01L23/528;H01L23/522;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:11:19