首页> 外国专利> Ultra-low power bias current generation and utilization in current and voltage source and regulator devices

Ultra-low power bias current generation and utilization in current and voltage source and regulator devices

机译:电流和电压源以及调节器器件中超低功率偏置电流的产生和利用

摘要

A bias current topology with embodiments in current source, current reference, (pseudo bandgap) voltage reference, and bandgap voltage reference that operate at ultra low currents and low power supply voltages which may use main stream standard digital Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) processes. The bias current topology uses chiefly a self cascode (SC), whose active resistor MOSFET is paced in series with the gate input of the MOSFETs that help generate the proportional to absolute temperature (PTAT) voltage that is applied to the active resistor MOSFET to produce a bias current.
机译:一种偏置电流拓扑,在电流源,电流基准,(伪带隙)电压基准和带隙电压基准中以超低电流和低电源电压运行,这些实施例可以使用主流标准数字互补金属氧化物半导体(CMOS) )流程。偏置电流拓扑主要使用自共源共栅(SC),其有源电阻MOSFET与MOSFET的栅极输入串联调速,有助于产生与绝对温度(PTAT)成比例的电压,该电压被施加到有源电阻MOSFET上以产生偏置电流。

著录项

  • 公开/公告号US10198022B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALI TASDIGHI FAR;

    申请/专利号US201815925721

  • 发明设计人 ALI TASDIGHI FAR;

    申请日2018-03-19

  • 分类号G05F3/26;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:08:56

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号