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QUANTUM DOT, LIGHT EMITTING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DOT

机译:量子点,量子点的发光材料及其制造方法

摘要

A quantum dot, a light emitting material, and a manufacturing method of quantum dot are provided. A ratio of an emission intensity to an absorption intensity of the quantum dot at a characteristic wavelength ranges from 1.5×108 CPS/Abs. to 2.0×109 CPS/Abs. The characteristic wavelength is a shorter wavelength of two wavelengths corresponding to half of a maximum intensity of an emission peak of the quantum dot.
机译:提供一种量子点,发光材料以及量子点的制造方法。在特征波长下,量子点的发射强度与吸收强度之比为1.5×10 8 CPS / Abs。至2.0×10 9 CPS / Abs。特征波长是对应于量子点的发射峰的最大强度的一半的两个波长中的较短波长。

著录项

  • 公开/公告号US2019119568A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHI MEI CORPORATION;

    申请/专利号US201816166191

  • 发明设计人 KENG-CHU LIN;

    申请日2018-10-22

  • 分类号C09K11/88;H01L33/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:07:56

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