首页> 外国专利> СПОСІБ ОТРИМАННЯ КРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СПОЛУКИ Cusub2/subZnSnSsub4/sub

СПОСІБ ОТРИМАННЯ КРИСТАЛІВ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СПОЛУКИ Cusub2/subZnSnSsub4/sub

机译:半导体化合物Cu 2 ZnSnS 4 的晶体获得方法

摘要

Спосіб отримання кристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnS4 із розчину в розплаві у вакуумованій кварцовій ампулі включає розчинення та кристалізацію вихідної полікристалічної сполуки в розчиннику при температурі нижчій температури плавлення вирощуваної сполуки. Насичення розчинника перебуває в рідкому стані в нижній частині ампули, вихідною сполукою проводять через парову фазу.
机译:从真空石英安瓿中的熔体中的溶液中获得半导体化合物Cu 2 ZnSnS 4的晶体的方法包括在低于生长的化合物的熔点的温度下将原始多晶化合物溶解并结晶在溶剂中。溶剂的饱和在安瓿的下部处于液态,原料化合物通过气相进行。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号