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METHOD FOR MANUFACTURING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRIDIUM MATERIAL, AND SUBSTRATE FOR EPITAXICALLY GROWING A MONOCRYSTALLINE LAYER OF DIAMOND OR IRIDIUM MATERIAL

机译:制造金刚石或铱材料的单晶层的方法,以及用于使金刚石或铱材料的单晶层表皮生长的基质

摘要

Method for manufacturing a monocrystalline layer of diamond or iridium material, including transferring a monocrystalline seed layer of SrTiO3 material onto a support substrate of silicon material, followed by epitaxially growing the monocrystalline layer of diamond or iridium material.
机译:用于制造金刚石或铱材料的单晶层的方法,包括将SrTiO 3 材料的单晶种子层转移到硅材料的支撑衬底上,然后外延生长金刚石或铱材料的单晶层。

著录项

  • 公开/公告号WO2019186262A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC;

    申请/专利号WO2019IB00196

  • 发明设计人 GHYSELEN BRUNO;

    申请日2019-03-26

  • 分类号C30B23/02;C30B25/18;C30B29/02;C30B29/04;H01L21/762;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 11:53:04

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