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Microstrip-to-Waveguide Transition Structure

机译:微带到波导的过渡结构

摘要

Various embodiments of the present invention relate to a microstrip-to-waveguide conversion structure for a wideband transition, and a technical problem to be solved is to provide a microstrip-to-waveguide conversion structure having a low conversion loss and a wide bandwidth. To this end, the present invention provides a dielectric layer comprising: a dielectric layer having a first planar surface and a second planar surface opposite to the first surface; A strip line formed on the first surface of the dielectric layer in a straight line shape; a first probe line formed on the first surface of the dielectric layer so as to extend obliquely to one side from one end of the strip line; A second probe line extending obliquely from one end of the microstrip to the other; A first coplanar waveguide formed on a first side of the dielectric layer and spaced from the microstrip; And a second coplanar waveguide formed on a second side of the dielectric layer. The microstrip-to-waveguide conversion structure for a wideband transition includes:
机译:本发明的各种实施方式涉及用于宽带过渡的微带-波导转换结构,并且要解决的技术问题是提供一种转换损耗低且带宽宽的微带-波导转换结构。为此,本发明提供一种介电层,其包括:介电层,其具有第一平坦表面和与所述第一表面相对的第二平坦表面;以及绝缘层。在电介质层的第一表面上形成为直线状的带状线。第一探针线形成在介电层的第一表面上,以从带状线的一端倾斜地延伸到一侧;第二探针线从微带的一端倾斜延伸到另一端;第一共面波导,形成在介电层的第一面上并与微带隔开。第二共面波导形成在介电层的第二侧上。用于宽带过渡的微带到波导转换结构包括:

著录项

  • 公开/公告号KR101952376B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 (주)지에쓰씨;

    申请/专利号KR20170107462

  • 发明设计人 유태환;서기원;

    申请日2017-08-24

  • 分类号H01P3/08;H01P3/13;H01Q13/08;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:49:07

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