Chipintegrierte HF-Abschirmungen mit rückseitigen Umverdrahtungsleitungen

摘要

Integrierter Halbleiterschaltungschip, aufweisend:• ein Substrat (10) mit einer oberen Oberfläche und einer der oberen Oberfläche gegenüberliegenden unteren Oberfläche;• eine auf einem ersten Teil eines Substrats (10) angeordnete erste Halbleiterkomponente (1), wobei die erste Halbleiterkomponente (1) eine an einer oberen Oberfläche des Substrats (10) angeordnete aktive Schaltungsanordnung aufweist; und• eine an der unteren Oberfläche des Substrats (10) angeordnete Umverdrahtungsschicht, wobei die Umverdrahtungsschicht erste Umverdrahtungsleitungen (52) und dritte Umverdrahtungsleitungen (52) aufweist, die dafür ausgelegt sind, zu oder von der ersten Halbleiterkomponente übertragene elektromagnetische Strahlung zu blockieren, wobei die ersten Umverdrahtungsleitungen (52) in mehreren Reihen und parallel zueinander unter der ersten Halbleiterkomponente (1) angeordnet sind, wobei die dritten Umverdrahtungsleitungen (52) unter der ersten Halbleiterkomponente (1) und senkrecht zu den ersten Umverdrahtungsleitungen (52) angeordnet sind, wobei die dritten Umverdrahtungsleitungen (52) parallel zueinander ausgerichtet sind, wobei die ersten Umverdrahtungsleitungen (52) und die dritten Umverdrahtungsleitungen (52) eine Struktur bilden, wobei die Struktur Öffnungen aufweist, und wobei mindestens einige der Öffnungen ein Pad (53) aufweisen.