首页> 外国专利> Apparatuses and methods for sensing a phase-change test cell and determining changes to the test cell resistance due to thermal exposure

Apparatuses and methods for sensing a phase-change test cell and determining changes to the test cell resistance due to thermal exposure

机译:用于感测相变测试电池并确定由于热暴露导致测试电池电阻变化的装置和方法

摘要

A phase change memory array may include at least one cell used to determine whether the array has been altered by thermal exposure over time. The cell may be the same or different from the other cells. In some embodiments, the cell is only read in response to an event. If in response to that reading, it is determined that the cell has changed state or resistance, it may deduce whether the change is a result of thermal exposure. Corrective measures may then be taken.
机译:相变存储器阵列可以包括至少一个单元,该单元用于确定该阵列是否已被热暴露随时间改变。该单元可以与其他单元相同或不同。在一些实施例中,仅响应于事件来读取单元。如果响应于该读数而确定电池已经改变了状态或电阻,则可以推断出该改变是否是热暴露的结果。然后可以采取纠正措施。

著录项

  • 公开/公告号US10726912B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201816227375

  • 发明设计人 JASON BRAND;JASON SNODGRESS;

    申请日2018-12-20

  • 分类号G11C13;G11C7/04;G11C29/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:28:29

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号