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COBALT CHROME ETCHING PROCESS

机译:钴铬合金蚀刻工艺

摘要

Compositions and methods for etching cobalt chromium alloys are disclosed. The compositions generally include at least two mineral acids, certain component metals of the alloy to be etched, and optionally iron (Fe). For example, when etching a cobalt chromium molybdenum alloy, the metals may include chromium (Cr), molybdenum (Mo), and optionally, cobalt (Co). The at least two mineral acids may include hydrochloric acid (HCl), nitric acid (HNO3), and hydrofluoric acid (HF). The methods provide for etching an entire surface of a substrate or etching a surface of a substrate in a pattern using selective coating patterns and/or coating removal. Thus, unlimited patterns, as well as etch depths and variations in etch depths are achievable using the compositions and methods disclosed.
机译:公开了用于蚀刻钴铬合金的组合物和方法。所述组合物通常包含至少两种无机酸,待蚀刻的合金的某些组分金属,以及任选地铁(Fe)。例如,当蚀刻钴铬钼合金时,金属可以包括铬(Cr),钼(Mo)和可选地钴(Co)。至少两种无机酸可以包括盐酸(HCl),硝酸(HNO 3 )和氢氟酸(HF)。该方法提供了使用选择性涂层图案和/或涂层去除来蚀刻衬底的整个表面或以图案蚀刻衬底的表面的方法。因此,使用所公开的组合物和方法,可以实现无限的图案以及蚀刻深度和蚀刻深度的变化。

著录项

  • 公开/公告号US2020190671A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICHAEL VIDRA;DANIEL JON SCHUTZER;

    申请/专利号US201916715530

  • 发明设计人 MICHAEL VIDRA;DANIEL JON SCHUTZER;

    申请日2019-12-16

  • 分类号C23F1/28;C09K13/08;C09K13/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:26:15

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