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Bias Circuit Based on BiFET Technology for Supplying a Bias Current to an RF Power Amplifier

机译:基于BiFET技术的偏置电路,用于向RF功率放大器提供偏置电流

摘要

A bias circuit for supplying a bias current to an RF power amplifier by using a field-effect transistor (FET) that is controlled by a logic control signal, such as a CMOS logic control signal, for turning on or turning off the bias current supplied to the RF power amplifier, wherein the bias current will be supplied to the RF power amplifier when the FET is on, and the bias current will not be supplied to the RF power amplifier when the FET is off.
机译:一种偏置电路,用于通过使用由诸如CMOS逻辑控制信号之类的逻辑控制信号控制的场效应晶体管(FET)将偏置电流提供给RF功率放大器,以打开或关闭提供的偏置电流到RF功率放大器,其中当FET导通时将偏置电流提供给RF功率放大器,而当FET截止时将不提供偏置电流给RF功率放大器。

著录项

  • 公开/公告号US2020266767A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAFAEL MICROELECTRONICS INC.;

    申请/专利号US201916280050

  • 发明设计人 CHIH-WEN WU;SZU-YAO CHU;

    申请日2019-02-20

  • 分类号H03F1/02;H03F3/213;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:24:19

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