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Method and apparatus for inhibiting programming of unselected bit lines in a flash memory system

机译:禁止在闪存系统中对未选择的位线进行编程的方法和装置

摘要

Various embodiments are disclosed for programming a memory cell coupled to a selected bit line in a flash memory array while prohibiting programming of memory cells coupled to unselected bit lines. Various embodiments for compensating for leakage current during programming of memory cells coupled to a selected bit line in a flash memory array are also disclosed.
机译:公开了各种实施例,用于对与闪存阵列中的所选位线耦合的存储单元进行编程,同时禁止对与未选中的位线耦合的存储单元进行编程。还公开了用于补偿在耦合至闪存阵列中的选定位线的存储单元的编程期间的泄漏电流的各种实施例。

著录项

  • 公开/公告号KR1021143930000B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020177031108

  • 申请日2016-02-23

  • 分类号

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 10:59:27

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