OBJET THERMOÉLECTRIQUE ET MATÉRIAU COMPOSITE DESTINÉ À UN DISPOSITIF DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN OBJET THERMOÉLECTRIQUE

摘要

28 atom %≤Sn≤38 atom %, 0 atom %≤Sb≤3 atom %, where 28 atom %≤(Sn+Sb)≤38 atom %; 0 atom %≤A≤7 atom %, 0 atom %≤B≤7 atom %, where A is Sc, Y and/or La, B is V, Nb and/or Ta and 0.15 atom %≤A+B≤7 atom %; the rest being Ni and up to 5 atom % impurities.