首页>
外国专利>
LEUCHTDIODE MIT DOTIERTEN QUANTENTÖPFEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
LEUCHTDIODE MIT DOTIERTEN QUANTENTÖPFEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
展开▼
展开▼
页面导航
摘要
著录项
相似文献
摘要
A light emitting diode based on GaN including an active zone located between an n-doped layer and a p-doped layer that together form a p-n junction, wherein the active zone includes at least one n-doped emissive layer.
展开▼