HALF-PREPARATION HOUSE WITH CRIMINAL AID STRUCTURE

摘要

Verkrümmungssteuerungs-Struktur eines Halbleitervorrichtungs-Gehäuses mit einem Heatspreader-Deckel (150), die Folgendes aufweist:mehrere Haftschichten (142) zur Verkrümmungssteuerung, die zwischen einer oberen Fläche einer Formschicht (132) und einer Haftfläche (152) eines Heatspreader-Deckels (150) auf mehreren Eckbereichen der Haftfläche (152) des Heatspreader-Deckels (150) angeordnet sind;und eine Spreader-Haftschicht (140), die auf einem zentralen Bereich der Haftfläche des Heatspreader-Deckels angeordnet ist, wobei die Haftschichten (142) zur Verkrümmungssteuerung zu der Spreader-Haftschicht (140) einen Abstand haben.