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DAMASCENER DUNNING SCIENCE (TFR) IN POLYMETAL DIRECTORY AND MANUFACTURING PROCEDURES

摘要

Ein Damaszener-Dünnschichtwiderstand (TFR), z. B. ein Damaszener-Dünnschichtwiderstandsmodul, das unter Verwendung einer einzelnen hinzugefügten Maskenschicht in einer dielektrischen Polymetallschicht (PMD) ausgebildet ist, und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung werden offenbart. Ein Verfahren zum Herstellen einer TFR-Struktur kann das Ausbilden eines Paares von beabstandeten TFR-Köpfen aufweisen, die als selbstausgerichtete Silizid-Poly- (Salizid-) Strukturen ausgebildet sind, Abscheiden einer dielektrischen Schicht über den Salizid-TFR-Köpfen, Strukturieren und Ätzen eines Grabens, der sich seitlich über zumindest einen Teil jedes Salizid-TFR-Kopfes erstreckt und Freilegen einer Oberfläche jedes Salizid-TFR-Kopfes und Abscheiden eines TFR-Materials in den Graben und auf die freiliegenden TFR-Kopfoberflächen, um dadurch eine TFR-Schicht auszubilden, die das Paar beabstandeter TFR-Köpfe überbrückt.

著录项

  • 公开/公告号DE112018004421T5

    专利类型

  • 公开/公告日2020.05.20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED;

    申请/专利号DE112018004421

  • 发明设计人 Yaojian Leng;

    申请日2018.10.01

  • 分类号

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 10:52:14

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