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用于半导体器件缺陷调查试验片的制造方法

摘要

一种半导体器件缺陷调查用试验片的制造方法。在完成半导体器件成形的晶片状态下,仅检查包括缺陷处的该芯片。其工序包括:寻找存在于晶片图形层上的缺陷处;在所述晶片的整个面上形成感光膜;在不另外分离各芯片的晶片状态下,以包括缺陷处的芯片背面靠近缺陷处的一点为中心,研磨芯片背面,直至留出上部一侧直径大下部一侧直径小的孔;通过腐蚀除掉在研磨部位剩下的硅残留物。

著录项

  • 公开/公告号CN1079584C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2002-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 现代电子产业株式会社;

    申请/专利号CN96112227.7

  • 发明设计人 具政会;朴斗镇;

    申请日1996-07-19

  • 分类号H01L21/66;G01R31/00;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人杨梧

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20020220 终止日期:20100719 申请日:19960719

    专利权的终止

  • 2002-02-20

    授权

    授权

  • 1997-08-06

    公开

    公开

  • 1997-07-09

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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