公开/公告号CN1079584C
专利类型发明授权
公开/公告日2002-02-20
原文格式PDF
申请/专利权人 现代电子产业株式会社;
申请/专利号CN96112227.7
申请日1996-07-19
分类号H01L21/66;G01R31/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人杨梧
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:55:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20020220 终止日期:20100719 申请日:19960719
专利权的终止
2002-02-20
授权
授权
1997-08-06
公开
公开
1997-07-09
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 用于检查缺陷的方法,已经检查了使用一个或多个晶片制造的半导体器件的缺陷,缺陷检查装置以及用于控制质量的半导体器件或晶片的方法
机译: 半导体器件的缺陷排序方法,半导体器件的产量预测方法,半导体器件的制造方法,半导体器件的缺陷排序系统和半导体器件的存储装置及其存储装置和存储装置
机译: 产生明显的晶体缺陷的方法以及用于评估的半导体器件的制造方法,用于评估晶体缺陷的方法和半导体器件