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公开/公告号CN1918724B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 剑桥企业有限公司;
申请/专利号CN200580005000.X
发明设计人 J·佐迈塞尔;H·西林豪斯;蔡丽丽;P·K-H·何;R·H·弗兰德;
申请日2005-01-17
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人任宗华
地址 英国剑桥
入库时间 2022-08-23 09:04:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-06-23
授权
2007-04-18
实质审查的生效
2007-02-21
公开
机译: 在半导体子结构上制造双极晶体管,或双极场效应晶体管或具有互补场效应晶体管的双极场效应晶体管的方法以及由该方法产生的器件
机译: 发光双栅场效应晶体管和发光双栅场效应晶体管的制造方法,
机译: 双极,发光场效应晶体管
机译:在双极场效应晶体管辐射复合机制发光基于有机聚合物和无机纳米颗粒
机译:高效单层聚合物双极发光场效应晶体管
机译:双极发光聚合物场效应晶体管中光增益和电荷传输的同时优化
机译:有机场效应晶体管:从单极到双极再到发光
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:基于磷酸硫化物的双极主体材料用于蓝磷光有机发光二极管
机译:双极发光有机场效应晶体管
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响