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公开/公告号CN112736195B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.09.01
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202011575436.5
发明设计人 闵泰;周雨晴;周雪;李桃;郭志新;
申请日2020.12.28
分类号H10B61/00(2023.01);G11C11/16(2006.01);H10N50/10(2023.01);
代理机构北京市正见永申律师事务所 11497;北京市正见永申律师事务所 11497;
代理人黄小临;冯玉清
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-10-16 19:40:03
机译: 具有铁插入和氧化物界面的垂直磁各向异性自由层,用于自旋转移矩磁随机存取存储器
机译:具有铁磁和反铁磁耦合的合成自由层的基于MgO的磁性隧道结中的热稳定性和自旋转移转换
机译:铁磁/反铁磁层合膜的交换磁各向异性与海森堡模型的界面无补偿反铁磁自旋检查的相关性
机译:自旋1三角晶格反铁磁Sr3NiTa2O9中的两步反铁磁跃迁和铁电
机译:自由层和参考层之间的静磁耦合对带有合成反铁磁层的自旋阀热稳定性的影响
机译:第一部分:3D('5),3D('6)和3D('7)自旋平衡铁和钴配合物的自旋互换研究。第二部分:牛肉心脏细胞色素氧化酶及其某些衍生物的磁化率研究(7-200 K):血红素自旋态相关的反铁磁耦合铁(III)/铜(II)对的直接证据。
机译:金属间ErPd2Si2单晶中明显的巡回自旋密度波和局部矩反铁磁
机译:Rashba导电的纵向光学和自旋霍尔电导率 耦合到铁磁和反铁磁层的条带
机译:一维自旋1/2反铁磁α-CuNsal中反铁磁 - 铁磁相变动态特性的观察